湿法制程的核心是通过将晶圆浸入化学药液槽中，或向旋转的晶圆表面喷洒药液，通过化学反应来实现清洗（Cleaning）、刻蚀（Etching）和去胶（Stripping）等目的。

　　1、湿法清洗 (Wet Cleaning)这是湿法制程最重要、最广泛的应用。晶圆在每两道工艺步骤之间（例如 before 光刻、after 刻蚀），都必须进行彻底的清洗，以去除污染物：

　　有机污染物 (Organics)：使用SPM溶液（H₂SO₄ + H₂O₂，俗称“食人鱼洗液”）强效去除光阻残留和有机杂质。

　　自然氧化层 (Native Oxide)：使用稀氢氟酸（DHF, Dilute HF）溶液选择性刻蚀掉硅表面的薄氧化层，而不损伤硅本体。

　　2、湿法刻蚀 (Wet Etching)通过化学溶液选择性地去除特定薄膜层。

　　二氧化硅 (SiO₂) 刻蚀：使用氢氟酸（HF） 缓冲液（BHF）。HF与SiO₂反应生成可溶性的六氟硅酸。

　　硅 (Si) 刻蚀：使用硝酸（HNO₃）和氢氟酸（HF） 的混合液。HNO₃将硅氧化成二氧化硅，HF再溶解掉生成的二氧化硅。

　　氮化硅 (Si₃N₄) 刻蚀：使用热磷酸（H₃PO₄），在高温下选择性刻蚀氮化硅，而对氧化硅的刻蚀速率很慢。

　　特点：湿法刻蚀通常是各向同性（Isotropic） 的，即会在纵向和横向同时刻蚀，容易产生 undercut（钻蚀）现象，难以用于非常精细的图形（如先进节点的晶体管）。因此，在关键尺寸的图形刻蚀上，已被各向异性的干法刻蚀（等离子体刻蚀）所取代。

　　3、光阻去除 (Photoresist Stripping)在完成离子注入或刻蚀后，需要将作为屏障的光阻层去除。

　　湿法去胶：使用硫酸（H₂SO₄）和过氧化氢（H₂O₂） 的混合液（SPM）或专用的有机溶剂来溶解和剥离光阻。虽然干法灰化（Ashing）更为常用，但湿法在处理某些金属层后（干法灰化可能氧化金属表面）或去除顽固光阻时仍有应用。

　　高选择性：能够找到对材料A刻蚀速率很快，但对材料B刻蚀速率极慢的化学配方，选择性远高于许多干法工艺。

　　高产能 (Throughput)：可以一次处理一整批（25片）晶圆，效率高。

　　设备成本低：湿法槽（Wet Bench）的设备成本远低于先进的干法刻蚀或沉积设备。

　　各向同性刻蚀：导致图形保真度差，无法用于纳米级精细图形的刻蚀。这是其被干法刻蚀取代的主要原因。

　　环境污染与安全：处理、储存和排放大量剧毒、强腐蚀性（如HF、H₂SO₄）和易燃的化学废液是一大挑战，需要高昂的环保和安全成本。

　　颗粒与污染风险：药液槽可能成为颗粒污染的来源，且晶圆在移动和干燥过程中容易产生水痕（Watermark）。

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